Procedo de Czochralski: Malsamoj inter versioj

La plej grava aplikaĵo eble ests la kreskigo de grandaj cilindraj [[ingoto]]j de [[silicio]]. Altpureca, [[semikonduktaĵoj|semikonduktaĵ]]-grada silicio (kun nur kelkaj partoj el miliono da malpuraĵoj) fandiĝas en [[krisolo]]. Dopaĵaj malpuraĵaj atomoj tiel kiel [[boro]] aŭ [[fosforo]] povas aldoniĝi al fanda esenca silicio laŭ precizaj kvantoj por dopi la silicion, kiu ŝanĝigas ĝin en n-tipan aŭ p-tipan malesencan silicion. Tio ĉi influas la [[elektra konduktiveco|elektran konduktivecon]] de silicio. Kerna kristalo mergiĝas en fandan silicion. La kerna kristalo tiriĝas supren kaj rotacias samtempe. Per preciza regado de la temperatura gradiento, la tira rapideco, kaj la rotacia (angula) rapideco ebligas eligi grandan, unuop-kristalan, cilindran ingoton de la fandaĵo. Tiu ĉi procezoprocedo kutime fariĝas en [[inerteco|inerta]] atmosfero, tia kia [[argono]], kaj en inerta krisolo, tia kia [[kvarco]].

Inter la fizikaj regionoj de intereso de kreskanta Czochralskia ingoto estas la fandaĵo, la solido-likva interfaco, kaj la malvarmiĝanta supro de la ingoto. Estas kelkaj procezoj[[procezo]]j de intereso tie ĉi. Inter ili estas la fluo en la fandaĵo, la formado de likvo-solida interfaco kaj la enkorpiĝo de malpuraĵoj ĉe la interfaco, kaj solidaj reakcioj en la malvariĝanta ingoto.