Fulmomemoro: Malsamoj inter versioj
| [kontrolita revizio] | [kontrolita revizio] |
Enhavo forigita Enhavo aldonita
Addbot (diskuto | kontribuoj) e Roboto: Forigo de 48 interlingvaj ligiloj, kiuj nun disponeblas per Vikidatumoj (d:q174077) |
Neniu resumo de redakto |
||
Linio 4:
== Historia skizo ==
La terminon "fulmmemoro" (angle ''flash memory'') inventis en junio [[1984]] Shoji Arizumi, laboranto de la firmao [[Toshiba]]. Tio okazis post kiam lia estro, doktoro Fujio Masuoka, sendis al konferenco [[IEDEM]], okazanta en San-Francisko, anoncon pri nova speco de energi-nedependa memoro. Inventinto de la memoro priskribis du arkitekturojn de la memoro: NOR kaj NAND. Sed amas-produktadon de fulmmemoro lanĉis la firmao [[Intel]] en [[1988]].
Tamen unuaj icoj de energi-nedependa memoro aperis pli frue ol estis inventita la termino fulmmemoro. En [[1956]] laboranto de la firmao [[American Bosch Arma]] Wen Chow unuafoje patentis programeblan memoron [[OTPROM]]. Tiam ankoraŭ ne ekzistis icoj kaj bloko de [[OTPROM]] konsistis el matrico kun fandeblaj kondukiloj. Dum la programado la kondukiloj estis detruataj per uzo de alta tensio.
| |||