Diodo: Malsamoj inter versioj
| [kontrolita revizio] | [nekontrolita versio] |
Enhavo forigita Enhavo aldonita
{{ADLS|2005|44}} |
|||
Linio 19:
<math>I=I_S \left( {e^{qV_D \over nkT}-1} \right)</math>,
kie ''I'' estas la dioda kurento, ''I''<sub>''S''</sub> estas skala faktoro nomita satura kurento, ''q'' estas la ŝargo sur elektrono (la elementa ŝargo), ''k'' estas la [[Konstanto de Boltzmann|Boltzmann-a konstanto]], ''T'' estas la absoluta temperaturo de la p/n-a junto. La termo ''kT/q'' estas la ''termika tensio'', foje skribita VT kaj estas proksimume 26mV ĉe enĉambra temperaturo. ''n'' (foje ellasita) estas la ''emisia koeficiento'', kiu varias de 1 al 2 depende de la fabrikada procezo.
En kutima silicia diodo, la falo en potencialo trans konduktanta diodo estas proksimume 0,6 aŭ 0,7 voltoj. La valoro malsamas por aliaj specoj de diodoj – [[Schottky-a diodo]] povas havi tiel malalte kiel 0,2 V kaj lum-emisia diodo povas havi 1,4 V aŭ pli.
| |||